Method for manufacturing transistor

트랜지스터의 제조방법

Abstract

본 발명은 트랜지스터의 제조 방법을 개시한다. 이 방법은 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 몰드 산화막을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 몰드 산화막의 상부에 함몰부를 형성하는 단계와, 상기 함몰부 내부의 상기 몰드 산화막을 제거하여 기판을 노출시키는 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치에 의해 노출되는 상기 기판을 소정 깊이로 제거하여 리세스를 형성하는 단계와, 상기 리세스에서 상기 함몰부까지 연결되는 Y 모양의 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
PURPOSE: A method for manufacturing a transistor is provided to reduce resistance and parasitic capacitance by controlling the height of a Y-shaped gate electrode according to the thickness of a mold oxide layer with a trench and a depressed part. CONSTITUTION: A source electrode(11) and a drain electrode(12) are formed on a substrate(10). A mold oxide layer is formed on the substrate. A depressed part is formed on the upper side of the mold oxide layer between the source electrode and the drain electrode. A trench which exposes the substrate is formed by removing the mold oxide layer in the depressed part. A recess(26) is formed by removing the substrate exposed by the trench with a preset depth. A Y shaped gate electrode(30) is connected from the recess to the depressed part.

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